鈣鈦礦光伏發(fā)展迅速，但關(guān)于點(diǎn)缺陷的問(wèn)題仍然存在：雖然實(shí)驗(yàn)已檢測(cè)到電活性缺陷的存在，但尚未報(bào)道經(jīng)實(shí)驗(yàn)證實(shí)的微觀鑒定。鑒于此，2021年9月22日英國(guó)鄧迪大學(xué)David J. Keeble團(tuán)隊(duì)于Nature Communications刊發(fā)鈣鈦礦鉛空位缺陷的鑒定的研究成果。在密度泛函理論的幫助下使用正電子湮沒(méi)壽命光譜確定了 MAPbI3 (MA=CH3NH3⁺) 中的鉛空位 (VPb) 缺陷。薄膜和單晶樣品的實(shí)驗(yàn)都表現(xiàn)出主導(dǎo)正電子捕獲導(dǎo)致空位缺陷，并且確定了~3×10¹⁵ cm^-3的最小缺陷密度。還有證據(jù)表明在空位復(fù)合物 (VPbVI)^-處被捕獲——在少數(shù)樣品中，但沒(méi)有觀察到 MA 離子空位的捕獲。實(shí)驗(yàn)結(jié)果支持其他第一性原理研究的預(yù)測(cè)，即深能級(jí)、空穴捕獲、V_Pb^2-、點(diǎn)缺陷是MAPbI3中最穩(wěn)定的缺陷之一。這種在技術(shù)相關(guān)濃度下直接檢測(cè)和識(shí)別鈣鈦礦中的深層天然缺陷將有助于進(jìn)一步研究缺陷驅(qū)動(dòng)機(jī)制。