鈣鈦礦和電子傳輸層（ETL）之間的埋底界面對于進一步提高鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的功率轉換效率（PCE）和穩(wěn)定性起著至關重要的作用。然而，由于它被埋在鈣鈦礦薄膜的底部，因此有效地優(yōu)化該界面具有挑戰(zhàn)性。鑒于此，2021年11月27日上海交通大學趙一新團隊及其合作團隊上海理工大學Taiyang Zhang團隊于AEM刊發(fā)CsI增強型埋底界面制備高效且抗紫外線的鈣鈦礦太陽能電池的研究成果。報道了一種使用CsI-SnO2復合物作為ETL構建高效穩(wěn)定鈣鈦礦太陽能電池的埋底界面強化策略。CsI改性促進鈣鈦礦薄膜的生長并有效鈍化界面缺陷。同時，Cs⁺的梯度分布有助于與鈣鈦礦更合適的帶排列，并且在底部界面處將Cs⁺摻入鈣鈦礦中增強了對紫外線照射的抵抗力。最終，實現(xiàn)了高達 23.3%的顯著改善的效率和大大增強的FAPbI3基鈣鈦礦太陽能電池的紫外線穩(wěn)定性。這項工作強調了銫界面的重要性，并為同時實現(xiàn)高效和紫外線穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池提供了一種有效的方法。