對(duì)MAPbI3憶阻器動(dòng)力學(xué)行為的研究表明，高導(dǎo)通狀態(tài)的起始電壓很大程度上取決于電壓掃描速率，并且阻抗譜會(huì)產(chǎn)生復(fù)雜的電容和電感模式。鑒于此，2022年3月1日西班牙海梅一世大學(xué)Juan Bisquert團(tuán)隊(duì)于ACS Energy Letters刊發(fā)鈣鈦礦憶阻器電流電壓滯后和阻抗的物理模型的研究成果。開發(fā)了一個(gè)動(dòng)態(tài)模型來描述這些特征，并獲得對(duì)產(chǎn)生電阻切換行為的離子和電子特性耦合的物理洞察。該模型將憶阻響應(yīng)分為不同的擴(kuò)散和過渡態(tài)形成步驟，這些步驟很好地描述了不同掃描速率和阻抗譜下的實(shí)驗(yàn)電流-電壓曲線。交流阻抗分析表明，鈣鈦礦憶阻器響應(yīng)包含兩個(gè)感應(yīng)過程的組合，這些過程提供與反向滯后相關(guān)的巨大負(fù)電容。該結(jié)果為根據(jù)內(nèi)部過程的時(shí)間尺度理解鈣鈦礦器件的一些典型特征提供了一種新方法，例如感應(yīng)行為和滯后效應(yīng)。