盡管金屬鹵化物鈣鈦礦在各種光電子學(xué)中取得了令人矚目的發(fā)展，但由于離子遷移和大有機間隔物隔離，采用最先進的鈣鈦礦通道的高性能晶體管的進展受到限制。鑒于此，2022年4月1日浦項科技大學(xué)Yong-Young Noh團隊及其合作團隊于NC刊發(fā)通過陰離子工程實現(xiàn)高性能無滯后鈣鈦礦晶體管的研究成果。報告了基于甲基銨錫碘化物 (MASnI3) 的高性能無滯后 p 溝道鈣鈦礦薄膜晶體管 (TFT)，并合理解釋了鹵化物 (I/Br/Cl) 陰離子工程對薄膜質(zhì)量改進和錫的影響/碘空位抑制，實現(xiàn)20?cm² V^-1 s^-1的高空穴遷移率，超過10⁷的電流開/關(guān)比，0?V的閾值電壓以及高運行穩(wěn)定性和可重復(fù)性。揭示了離子遷移對Sn基鈣鈦礦TFT的滯后作用的貢獻可以忽略不計；相反，少數(shù)載流子俘獲是主要原因。最后，將鈣鈦礦TFT與商業(yè)化的n溝道銦鎵鋅氧化物TFT集成在單個芯片上，以構(gòu)建高增益互補逆變器，促進開發(fā)鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體用于可印刷電子和電路。