采用外部封裝技術(shù)作為一種直截了當(dāng)?shù)墓に嚳煞乐顾趾脱鯕獾臐B透，從而提高鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的環(huán)境穩(wěn)定性。然而，外部封裝無(wú)法有效解決器件內(nèi)部各種空位和離子擴(kuò)散或遷移引起的不可逆光致降解。鑒于此，2022年3月28日武漢大學(xué)柯維俊&陶晨&方國(guó)家團(tuán)隊(duì)于AEM刊發(fā)鈣鈦礦薄膜的內(nèi)部封裝用于制備高效且非常穩(wěn)定的太陽(yáng)能電池的研究成果。開發(fā)了一種內(nèi)部封裝策略，即在埋底界面--氧化錫/鈣鈦礦界面處引入NbCl5，并在鈣鈦礦頂部旋涂正丁基溴化銨，以全面鈍化空位，從而阻斷離子擴(kuò)散或遷移的通道。內(nèi)部封裝策略可在埋底界面處產(chǎn)生更均勻的電子傳輸層和有效的空位鈍化，同時(shí)在垂直方向上生成更均勻、更好結(jié)晶的鈣鈦礦，并顯著減少殘留的PbI2。此外，較少的氧空位和超薄Nb2O5的形成導(dǎo)致電子轉(zhuǎn)移的界面能級(jí)排列更好。因此，所得鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的功率轉(zhuǎn)換效率高達(dá) 24.01%。更重要的是，該器件表現(xiàn)出出色的穩(wěn)定性，在其最大功率點(diǎn)跟蹤測(cè)量（在100 mW cm^-2白光照射下，≈55 °C溫度下，N2氣氛中）1000 小時(shí)后保持其初始效率的88%。