具有非凡光電特性的鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體已引起人們的興趣。鹵化物鈣鈦礦納米晶體、單晶和薄膜已被制備用于各種領(lǐng)域，例如光發(fā)射、光檢測(cè)和光收集。高性能器件依賴于由成核和晶體生長(zhǎng)過(guò)程決定的高晶體質(zhì)量。鑒于此，2022年4月6日華中科技大學(xué)梅安意&韓宏偉團(tuán)隊(duì)于AM刊發(fā)納米晶體、單晶和薄膜中的鈣鈦礦結(jié)晶過(guò)程和方法的綜述。在這篇綜述中，對(duì)由溶液過(guò)飽和驅(qū)動(dòng)的結(jié)晶過(guò)程進(jìn)行了基本的理解，并總結(jié)了鹵化物鈣鈦礦晶體的那些方法。過(guò)飽和決定了參與自發(fā)聚集的表面和體積分子單元的比例和平均吉布斯自由能變化，這在溶液中可能是穩(wěn)定的，并且只有當(dāng)溶液超過(guò)所需的最小臨界濃度 (Cmin) 時(shí)才會(huì)誘導(dǎo)均勻成核。由于存在表面，晶體生長(zhǎng)和異相成核在熱力學(xué)上比均相成核更容易。納米晶主要是通過(guò)在 Cmin上快速增加濃度以成核為主的過(guò)程制備，單晶主要通過(guò)保持溶解度和 Cmin之間的濃度通過(guò)生長(zhǎng)為主的過(guò)程來(lái)制備，而薄膜主要是通過(guò)影響成核和生長(zhǎng)來(lái)制備確保致密性和粒度的工藝。還回顧了制備這三種形式的鹵化物鈣鈦礦的典型策略。