涂覆在基板上的鈣鈦礦層的優(yōu)選取向和非均勻應(yīng)變會(huì)導(dǎo)致帶隙中不希望的藍(lán)移以及晶界內(nèi)部和晶界上的一些缺陷。因此，在滿足晶界陷阱鈍化的同時(shí)抑制鹵化物鈣鈦礦晶體的各向異性優(yōu)選生長(zhǎng)對(duì)于制備高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池具有重要意義。鑒于此，2022年7月25日韓國(guó)蔚山國(guó)家科學(xué)技術(shù)研究所Sang Il Seok團(tuán)隊(duì)于Joule刊發(fā)中性配體釋放鈣鈦礦薄膜外部應(yīng)變的研究成果，通過將適量的三辛基膦（TOP）作為中性配體添加到FAPbI3前體溶液中，研究了旋涂鈣鈦礦薄膜的性能。含有MACl的 FAPbI3前體溶液中的三辛基膦顯著減輕了MACl引起的優(yōu)選取向并通過微應(yīng)變的減少進(jìn)一步誘導(dǎo)了帶隙的紅移。此外，三辛基膦通過晶界的表面終止有助于鈍化缺陷?；谶@些鈣鈦礦薄膜的鈣鈦礦太陽能電池表現(xiàn)出接近25%的效率。