控制溶液法制備錫鈣鈦礦的結(jié)晶動力學對于實現(xiàn)高性能無鉛光電器件至關(guān)重要，但同時也極具挑戰(zhàn)性。鑒于此，2025年5月30日南京工業(yè)大學常進&王建浦&黃維院士于AM刊發(fā)錫基鈣鈦礦界面定向生長用于高效發(fā)光二極管的研究成果，本文證明了基底調(diào)控的界面成核控制著錫基鈣鈦礦的晶體生長取向和薄膜質(zhì)量。結(jié)果表明，原始的PEDOT:PSS基底通過強的PEDOT⁺-[SnI₃]_n^n?相互作用誘導以底部界面為主導的成核，從而驅(qū)動錫鈣鈦礦快速向上結(jié)晶，并產(chǎn)生光致發(fā)光量子效率（PLQE：≈26%）較低的粗糙薄膜。用檸檬酸鉀（PC）進行策略性基底改性可削弱PEDOT⁺-[SnI₃]_n^n?相互作用，從而在溶劑蒸發(fā)過程中將成核起始點重定向至頂部界面。這導致錫鈣鈦礦受控向下結(jié)晶，形成具有更高結(jié)晶度和優(yōu)異光電性能（PLQE：≈41%）的光滑薄膜。優(yōu)化后的錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管(LED)實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的性能，外量子效率達到12.8%，最大輻射亮度達到190 W sr^?1 m^?2，這是迄今為止已報道的錫基鈣鈦礦近紅外LED的最高性能。這項工作證明了界面導向結(jié)晶控制是實現(xiàn)高性能錫基鈣鈦礦光電器件的有效策略。