錫（Sn）基鈣鈦礦在環(huán)保高性能發(fā)光二極管（LED）方面展現(xiàn)出巨大潛力。然而，錫基鈣鈦礦LED（PeLED）的發(fā)展明顯落后于鉛基鈣鈦礦。這主要是由于錫基鈣鈦礦的結(jié)晶速度更快，導(dǎo)致錫基鈣鈦礦薄膜中缺陷密度更高，從而導(dǎo)致嚴(yán)重的非輻射復(fù)合。鑒于此，2025年6月11日南京工業(yè)大學(xué)沈曉冬&滕彭彭于Angew刊發(fā)高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的埋底界面改性策略的研究成果，提出了一種埋界面改性（BIM）策略，利用羧酸鹽作為多功能表面改性劑來(lái)調(diào)控錫基鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)。研究發(fā)現(xiàn)埋界面對(duì)于改善錫基鈣鈦礦薄膜的成核和結(jié)晶至關(guān)重要。最終，實(shí)現(xiàn)了高效的近紅外錫基PeLED，其外量子效率（EQE）高達(dá)11.9%。這項(xiàng)工作提出了一種獲得高性能錫基鈣鈦礦薄膜和器件的有效而優(yōu)雅的途徑。