錫(Sn)基鈣鈦礦在環(huán)保高性能發(fā)光二極管(LED)方面展現(xiàn)出巨大潛力。然而,錫基鈣鈦礦LED(PeLED)的發(fā)展明顯落后于鉛基鈣鈦礦。這主要是由于錫基鈣鈦礦的結(jié)晶速度更快,導(dǎo)致錫基鈣鈦礦薄膜中缺陷密度更高,從而導(dǎo)致嚴(yán)重的非輻射復(fù)合。鑒于此,2025年6月11日南京工業(yè)大學(xué)沈曉冬&滕彭彭于Angew刊發(fā)高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管的埋底界面改性策略的研究成果,提出了一種埋界面改性(BIM)策略,利用羧酸鹽作為多功能表面改性劑來(lái)調(diào)控錫基鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)。研究發(fā)現(xiàn)埋界面對(duì)于改善錫基鈣鈦礦薄膜的成核和結(jié)晶至關(guān)重要。最終,實(shí)現(xiàn)了高效的近紅外錫基PeLED,其外量子效率(EQE)高達(dá)11.9%。這項(xiàng)工作提出了一種獲得高性能錫基鈣鈦礦薄膜和器件的有效而優(yōu)雅的途徑。
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