二維鈣鈦礦具有帶隙可調(diào)性和更高的化學(xué)穩(wěn)定性，已被用于設(shè)計光電器件。2021年美國圣母大學(xué)Kamat團(tuán)隊于AM刊發(fā)降低RP二維鈣鈦礦的n值可抑制離子遷移的研究成果。從混合鹵素（Br：I = 50：50）鈣鈦礦薄膜中的鹵化物離子分離和暗恢復(fù)可以看出，隨著層數(shù)（n = 10-1）的減少而降低維度也賦予了對光誘導(dǎo)離子遷移的抵抗力。隨著二維鈣鈦礦薄膜的維數(shù)從 n = 10 降低到 1，光致鹵化物離子分離效率從 20% 降低到 <1%，由不同的吸收光譜確定。分離速率常數(shù)（ksegregation）從 5.9×10^?3 s^?1(n = 10)降低到3.6×10^?4 s^?1 (n = 1)，與在電荷載流子壽命中觀察到的近一個數(shù)量級的下降密切相關(guān)（τaverage = 233 ps for n = 10 vs τavg = 27 ps for n = 1）。二維鈣鈦礦中緊密結(jié)合的激子使電荷分離的可能性降低，從而降低了由鹵化物遷移導(dǎo)致的相分離。討論了控制二維結(jié)構(gòu)維數(shù)在抑制鹵化物離子遷移率方面的重要性